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設(shè)備名稱 電感耦合等離子體刻蝕ICP 品牌型號 oxford plasma 100
設(shè)備用途
利用F基和Cl基氣體產(chǎn)生的plasma，對化合物材料和硅基進行刻蝕加工
主要技術(shù)指標：
可用氣體：Ar、N2、O2、SF6、H2、CH4、Cl2、BCl3
可刻蝕材料：InP、GaAs、Si
加工尺寸：≤8inch
最大刻蝕速率：對InP＞200nm/min，對GaAs＞200nm/min，
刻蝕均勻性：≤3%
